زبان سایت
مقاله اثر شرایط رسوب در نانو کلاسترهای سیلیکون
مقاله اثر شرایط رسوب در نانو کلاسترهای سیلیکون

مقاله اثر شرایط رسوب

مقاله اثر شرایط رسوب

عنوان مقاله اثر شرایط رسوب: Influence of Deposition Conditions on Silicon Nanoclusters in Silicon Nitride Films Grown by Laser-Assisted CVD Method

نشریه :IEEE

سال انتشار : ۲۰۱۱

صفحات مقاله انگلیسی :۶

دانلود رایگان مقاله

مشخصات مقاله اثر شرایط رسوب:

عنوان فارسی مقاله:

اثر شرایط رسوب در نانو کلاسترهای سیلیکون در فیلم‌های نیترید سیلیکون رشد‌یافته توسط روش لیزر با روش‌های CVD لیزری

عنوان انگلیسی مقاله اثر شرایط رسوب:

Influence of Deposition Conditions on Silicon Nanoclusters in Silicon Nitride Films Grown by Laser-Assisted CVD Method

قسمتی از مقاله انگلیسی و ترجمه آن:

Abstract

Crystalline-silicon-nanocluster-embedded silicon nitride films were deposited at low temperature using a laser-assisted CVD (LACVD) system with various reactant gas flow rates and assisting laser power densities. The photoluminescence (PL) performances of the resultant films were studied, showing a systematic spectra blue shift, and the enhancement of PL intensity with the increase of the reactant NH3 /SiH4 gas flow rate ratio and the assisting laser power density used in the film deposition. The spectra blue shift can be ascribed to the decrease of the size of the nanoclusters in the films. It is also deduced that both the reduction of the amount of nonradiative centers in the nanoclusters and the increase of the number density of the nanoclusters in the film are responsible for the enhancement of the PL intensity. The film growth process is also briefly discussed.

چکیده مقاله اثر شرایط رسوب

فیلم‌های نیترید سیلیکون جاسازی شده- نانوخوشه- سیلیکون-بلوری در دمای پایین با استفاده از سیستم CVD به کمک لیزر (LACVD) با نرخ‌های مختلف جریان گاز واکنش دهنده و با کمک چگالی‌های قدرت لیزر رسوب داده شدند. عملکردهای فوتولومینسانس (PL) فیلم‌های حاصل مورد مطالعه قرار گرفتند و یک جابجایی آبی طیف سیستماتیک و افزایش شدت PL با افزایش نسبت نرخ جریان گاز NH3 /SiH4 واکنش دهنده و با کمک چگالی توان لیزر مورد استفاده در رسوب فیلم دیده شد. جابجایی آبی طیف را می‌توان به کاهش اندازه نانوخوشه‌ها در فیلم‌ها نسبت داد. همچنین استنباط می‌شود که کاهش مقدار مراکز غیرتابشی در نانوخوشه‌ها و افزایش چگالی تعداد نانوخوشه‌ها در فیلم، مسئول افزایش شدت PL هستند. فرآیند رشد فیلم نیز به طور خلاصه مورد بحث قرار خواهد گرفت.

نظر بدهید

این سایت از اکیسمت برای کاهش هرزنامه استفاده می کند. بیاموزید که چگونه اطلاعات دیدگاه های شما پردازش می‌شوند.